Low/Medium Voltage MOSFETs | FDZ191P

Pチャネル1.5V 仕様 PowerTrench® WL-CSP MOSFET -20V、-1A、85mΩ

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Overview

最先端の「低ピッチ」WLCSPパッケージングプロセスを備えた高度な1.5V PowerTrenchプロセスで設計されたFDZ191Pは、PCBスペースおよびrDS（on）の両方を最小限に抑えます。この高度なWLCSP MOSFETはパッケージング技術の進歩を体現し、これにより、デバイスでの優れた熱伝達特性、超低プロファイルのパッケージング、低ゲート電荷、および低rDS（on）を組み合わせを実現しました。

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  • Battery Management
  • Load Switch
  • Battery Protection
  • 最大 rDS(on) = 85mΩ @ VGS = -4.5V, ID = -1A
  • 最大 rDS(on) = 123mΩ @ VGS = -2.5V, ID = -1A
  • 最大 rDS(on) = 200mΩ @ VGS = -1.5V, ID = -1A
  • わずか1.5mm² の基板面積を占め、2x2 BGAの50％未満です
  • 超薄型パッケージ: PCBにマウントされている高さ 0.65 mm未満
  • RoHS対応

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDZ191P

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CAD Model

Pb

A

H

P

WLCSP-6

567PW

1

260

REEL

5000

No

P-Channel

NA

NA

Low-Medium Voltage

Logic

0

Single

0

-20

-

8

-1.5

-1

1.9

123

85

18

9

800

-

-

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信頼性データ

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Device: FDZ191P

Equivalent to wafer fab process: TT

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

TT

6

3566152280

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Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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