PチャネルQFET® MOSFET -100V、-33.5A、60mΩ

Overview

このPチャンネル強化モードのパワーMOSFETは、フェアチャイルドセミコンダクター独自のプレーナストライプおよびDMO 技術を使って生産されています。 この高度MOSFET技術はオン抵抗を低減し、優れたスイッチング性能と高い電子なだれエネルギー強度を提供するように設計されています。 これらのデバイスはスイッチモードパワーサプライ、オーディオアンプ、DCモーターコントロール、可変スイッチング電源用途に適してます。

  • AC-DC商用パワーサプライ - サーバー & ワークステーション
  • ワークステーション
  • サーバー&メインフレーム

  • Solar / UPS
  • Audio / ATX
  • Ballast

  • 少量のゲート電荷 (通常 85nC)
  • 100%電子なだれテスト済み
  • 低Crss (通常 170pF)
  • 最大175℃の接合部温度定格
  • -33.5A、 -100V、 RDS(on) = 60mΩ(最大) @VGS = -10 V、 ID = -16.75A

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FQB34P10TM

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CAD Model

Pb

A

H

P

D2PAK-3 / TO-263-2

1

245

REEL

800

Y

P-Channel

PowerTrench® T1

D2PAK

Low-Medium Voltage

Standard

0

Single

0

-100

60

±30

-4

-33.5

155

-

-

-

85

2240

45

880

730

170

$1.4069

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