Low/Medium Voltage MOSFETs | FQB8P10

パワー MOSFET、P チャネル、QFET®、-100 V、-8 A、530 mΩ、D2PAK

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Overview

この P チャネル・エンハンスメントモード・パワー MOSFET は、独自のプレーナ・ストライプおよび DMOS 技術を使用して製造されています。この高度な MOSFET 技術は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェ・エネルギー強度を向上させるよう構成されています。これらのデバイスは、スイッチ・モード電源、オーディオ・アンプ、DC モータ制御、および可変スイッチング電源アプリケーションに適しています。

  • その他の産業用
  • -8.0A、 -100V、 RDS(on) = 185mΩ(最大) @VGS = -10 V、ID = -4A
  • 少量のゲート電荷 (通常 12nC)
  • 低Crss (通常 30pF)
  • 100%電子なだれテスト済み
  • 最大175℃の接合部温度定格

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FQB8P10TM

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View__CAD

Pb

A

H

P

D2PAK-3 / TO-263-2

418AJ

1

245

REEL

800

No

P-Channel

PowerTrench® T1

D2PAK

Low-Medium Voltage

Standard

0

Single

0

-100

530

±30

-4

-8

65

-

-

-

12

360

6.4

350

120

30

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FQB8P10TM

Equivalent to wafer fab process: 3D

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

3D

10

2342695283

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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