Low/Medium Voltage MOSFETs | FQPF9N25C

パワー MOSFET、N チャネル、QFET®、250 V、8.8 A、430 mΩ、TO-220F

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この N チャネル・エンハンスメントモード・パワー MOSFET は、当社独自のプレーナ・ストライプおよび DMOS 技術を使用して製造されています。この高度な MOSFET 技術は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェ・エネルギー強度を向上させるよう構成されています。これらのデバイスは、スイッチ・モード電源、アクティブ力率補正 (PFC)、および電子ランプ・バラストに適しています。

  • LED TV
  • PDP TV

  • 8.8A、250V、RDS(on) = 430mΩ(最大) @VGS = 10 V、ID = 4.4A
  • 少量のゲート電荷 (通常 26.5nC)
  • 低Crss (通常 45.5pF)
  • 100%電子なだれテスト済み

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Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

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Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

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FQPF9N25C

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PowerTrench® T1

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FQPF9N25CT

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PowerTrench® T1

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FQPF9N25CYDTU

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340BJ

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800

N

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-220

Low-Medium Voltage

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Single

0

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±30

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FQPF9N25C

Equivalent to wafer fab process: CE

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

CE

15

2535417142

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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