Low/Medium Voltage MOSFETs | FQU13N10L

パワー MOSFET、N チャネル、ロジックレベル、QFET®、100 V、10 A、180 mΩ、IPAK

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Overview

この N チャネル・エンハンスメントモード・パワー MOSFET は、当社独自のプレーナ・ストライプおよび DMOS 技術を使用して製造されています。この高度な MOSFET 技術は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェ・エネルギー強度を向上させるよう構成されています。これらのデバイスは、スイッチ・モード電源、オーディオ・アンプ、DC モータ制御、および可変スイッチング電源アプリケーションに適しています。

  • LED TV
  • "
  • 10A、100V、RDS(on) = 180mΩ(最大) @VGS = 10 V、 ID = 5A
  • 少量のゲート電荷 (通常 9.5nC)
  • 低Crss (通常 35pF)
  • Low Level Gate Drive Requirement Allowing Direct Operation From Logic Drivers

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Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FQU13N10LTU

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Pb

A

H

P

IPAK-3 / DPAK-3 STRAIGHT LEAD

369AR

NA

0

TUBE

5040

No

N-Channel

PowerTrench® T1

DPAK

Low-Medium Voltage

Logic

0

Single

0

100

180

±20

2

10

40

-

200

-

8.7

400

5.3

170

95

20

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FQU13N10LTU

Equivalent to wafer fab process: 3D

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

3D

10

2342695283

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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