Low/Medium Voltage MOSFETs | NDP6060L

N チャネル・ロジックレベル・エンハンスメント・モード電界効果トランジスタ 60V、48A、25mΩ

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Overview

これらのロジックレベル N チャネル拡張モード電界効果トランジスタは、独自の高セル密度の DMOS 技術を使用して製造されています。特に、この高密度のプロセスは、オン抵抗を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供し、アバランシェおよび転流モードでの高エネルギーパルスに対応するよう構成されています。これらのデバイスは、自動車、DC/DC コンバータ、PWM モータ制御、および高速スイッチング、インライン電力損失低減、過渡抵抗が必要なその他のバッテリ駆動回路などの低電圧アプリケーションに特に適しています。

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  • 48A、60V
  • RDS(ON) = 0.025Ω @ VGS = 5V.
  • 直接ロジックドライバーからの操作を可能にする低ドライブ要件。 VGS(TH) < 2.0V
  • 昇温で規定される臨界DC電気パラメータ
  • 堅牢な内部ソース-ドレイン間ダイオードによって、外部のツェナーダイオード過渡サプレッサーが不要になります。
  • 最大175℃の接合部温度定格
  • 超低RDS(ON)用の高密度セル設計

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Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

NDP6060L

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CAD Model

Pb

A

H

P

TO-220-3

340AT

NA

0

TUBE

800

Yes

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-220

Low-Medium Voltage

Logic

0

Single

0

60

20

±20

2

48

49

-

25

3.5

36

1630

21

-

460

150

$1.5465

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: NDP6060L

Equivalent to wafer fab process: TO

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

TO

0

1274146324

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Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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