N チャネル・ロジックレベル・パワー MOSFET 50V、14A、100mΩ

Overview

これらは、MegaFET プロセスを用いて製造された N チャネル・パワー MOSFET です。このプロセスは、LSI集積回路に近い機能サイズを使用し、シリコンの最適な活用を実現、優れた性能をもたらします。これらは、スイッチング・レギュレータ、スイッチング・コンバータ、モータ・ドライバ、リレー・ドライバなどのアプリケーションでの使用を目的として設計されました。この性能は、3V から 5V の範囲のゲートバイアスで最大定格の伝導を提供する特別なゲート酸化膜デザインで実現し、ロジックレベル (5V) 集積回路から直接真のオン/オフ電力制御を円滑に行うことができます。旧開発型 TA09870。

  • AC-DC商用パワーサプライ - サーバー & ワークステーション
  • ワークステーション
  • サーバー&メインフレーム
  • 14A、50V
  • rDS(ON)= 0.100Ω
  • 温度補償PSPICE® モデル
  • CMOS、NMOS、TTL回路から直接駆動可能
  • ピーク電流対パルス幅カーブ
  • UIS定格曲線
  • 175℃動作温度
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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

RFD14N05LSM

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

DPAK-3 / TO-252-3

1

260

TUBE

1800

Yes

N-Channel

PowerTrench® T1

DPAK

Low-Medium Voltage

Logic

0

Single

0

50

-

±10

2

14

48

-

100

-

22

670

-

-

185

50

$0.3869

More Details

RFD14N05LSM9A

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

DPAK-3 / TO-252-3

1

260

REEL

2500

Yes

N-Channel

PowerTrench® T1

DPAK

Low-Medium Voltage

Logic

0

Single

0

50

-

±10

2

14

48

-

100

-

22

670

-

-

185

50

$0.2756

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