Low/Medium Voltage MOSFETs | RFD16N05SM

N チャネル・パワー MOSFET、50V、16A、47mΩ

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RFD16N05 および RFD16N05SM N チャネル・パワー MOSFET は、MegaFET プロセスを用いて製造されています。このプロセスは、LSI 集積回路に近い機能サイズを使用し、シリコンの最適な活用を実現、優れた性能をもたらします。これらは、スイッチング・レギュレータ、スイッチング・コンバータ、モータ・ドライバ、リレー・ドライバなどのアプリケーションでの使用を目的として設計されました。これらのトランジスタは、集積回路から直接操作することができます。旧開発型 TA09771。

  • AC-DC商用パワーサプライ - サーバー & ワークステーション
  • ワークステーション
  • サーバー&メインフレーム
  • 16A、50V
  • rDS（ON）= 0.047Ω
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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

RFD16N05SM9A

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View__CAD

Pb

A

H

P

DPAK-3 / TO-252-3

369AS

1

260

REEL

2500

Yes

N-Channel

PowerTrench® T1

DPAK

Low-Medium Voltage

Standard

0

Single

0

50

47

±20

4

16

72

-

-

-

77

900

-

-

325

100

$0.5393

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: RFD16N05SM9A

Equivalent to wafer fab process: U2

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

U2

1

4110087345

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Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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