Low/Medium Voltage MOSFETs | RFD3055LE

N チャネル・ロジックレベル・パワー MOSFET 60V、11A、107mΩ

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これらの N チャネル・エンハンスメントモード・パワー MOSFET は、最新の製造プロセス技術を用いて製造されています。このプロセスは、LSI 回路に近い機能サイズを使用し、シリコンの最適な活用を実現、優れた性能をもたらします。これらは、スイッチング・レギュレータ、スイッチング・コンバータ、モータ・ドライバ、リレードライバなどのアプリケーションでの使用を目的として設計されました。これらのトランジスタは、集積回路から直接操作することができます。旧開発型 TA49158。

  • AC-DC商用パワーサプライ - サーバー & ワークステーション
  • ワークステーション
  • サーバー&メインフレーム
  • 11A、60V
  • rDS(ON)= 0.107Ω
  • 温度補償PSPICE® モデル
  • ピーク電流対パルス幅カーブ
  • UIS定格曲線
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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

RFD3055LE

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CAD Model

Pb

A

H

P

IPAK-3 / DPAK-3 STRAIGHT LEAD

369AR

NA

0

TUBE

1800

No

N-Channel

PowerTrench® T1

DPAK

Low-Medium Voltage

Logic

0

Single

0

60

-

±16

3

11

38

-

107

-

5.2

350

-

-

105

23

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: RFD3055LE

Equivalent to wafer fab process: U2

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

U2

1

4110087345

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Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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