NDB5060L

N チャネル・ロジックレベル・エンハンスメント・モード電界効果トランジスタ 60V、26A、35mΩ

Overview

これらのロジックレベル N チャネル拡張モード電界効果トランジスタは、独自の高セル密度の DMOS 技術を使用して製造されています。特に、この高密度のプロセスは、オン抵抗を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供し、アバランシェおよび転流モードでの高エネルギーパルスに対応するよう構成されています。これらのデバイスは、自動車、DC/DC コンバータ、PWM モータ制御、および高速スイッチング、インライン電力損失低減、過渡抵抗が必要なその他のバッテリ駆動回路などの低電圧アプリケーションに特に適しています。

アプリケーション

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特長

26 A、 60 V、R_DS(ON) = 0.05Ω @ V_GS= 5 V、 R_DS(ON) = 0.035Ω @ V_GS= 10 V。
昇温で規定される臨界DC電気パラメータ
堅牢な内部ソース-ドレイン間ダイオードによって、外部のツェナーダイオード過渡サプレッサーが不要になります。
最大175℃の接合部温度定格
超低R_DS(ON)用の高密度セル設計
スルーホールおよび表面実装用途のためのTO-220およびTO-263 (D²PAK) パッケージ

材料組成

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

NDB5060L

Active

D2PAK-3 / TO-263-2

418AJ

260

REEL

800

N-Channel

Single

840

$1.222

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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