NDS331N

Nチャネル Logic Level 拡張モード電界効果トランジスタ 20V 1.3A、0.21Ω

Overview

これらのNチャネルLogic Level 拡張モード電界効果トランジスタは、独自の高セル密度のDMOS技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、特にオン抵抗を最小化するよう構成されています。特に、これらのデバイスは、非常に小さな外形の表面実装パッケージで迅速なスイッチングおよびインライン電力損失の低減が必要なノートPC、携帯電話、PCMCIAカード、およびその他のバッテリー駆動回路の低電圧アプリケーションに適しています。

アプリケーション

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特長

1.3 A、20 V。R_DS(ON) = 0.21Ω @ V_GS= 2.7 V
R_DS(ON) = 0.16 Ω @ V_GS= 4.5 V
優れた熱および電気機能のためのSuperSOT™-3設計を使用した、業界標準アウトラインSOT-23表面実装パッケージ
超低R_DS(ON)
用の高密度セル設計
卓越したオン抵抗、および最大DC電流機能

材料組成

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

NDS331N

Active

SOT-23-3

527AG

260

REEL

3000

N-Channel

Single

1.3

0.5

210

160

1.3

3.5

162

$0.1315

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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