MOSFETs | NDS355AN

N チャネル・ロジックレベル・エンハンスメントモード電界効果トランジスタ 30V、1.7A、85mΩ

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Datasheet
CAD Model

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Overview

SuperSOT™-3 N チャネル・ロジックレベル ・エンハンスメントモード電界効果トランジスタは、独自の高セル密度の DMOS 技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、特にオン抵抗を最小化するよう構成されています。特に、これらのデバイスは、非常に小さな外形の表面実装パッケージで迅速なスイッチングおよびインライン電力損失の低減が必要なノート PC、携帯電話、PCMCIA カード、およびその他のバッテリ駆動回路の低電圧アプリケーションに適しています。

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  • 1.7 A、30 V. RDS(ON) = 0.125Ω @ VGS= 4.5 V
    RDS(ON) = 0.085 Ω @ VGS= 10 V
  • 優れた熱および電気機能のためのSuperSOT™-3設計を使用した、業界標準アウトラインSOT-23表面実装パッケージ
  • 超低RDS(ON)
    用の高密度セル設計
  • 卓越したオン抵抗、および最大DC電流機能
  • コンパクトな業界標準SOT-23表面実装型パッケージ

材料組成

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Compliance

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Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

NDS355AN

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

SOT-23-3

527AG

1

260

REEL

3000

N

30

85

N-Channel

Single

20

2

1.7

43

-

125

3.4

3.5

195

$0.1619

More Details

NDS355AN-F169

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

SOT-23-3

527AG

1

260

REEL

3000

N

30

85

N-Channel

Single

±20

20

1.7

0.5

-

125

-

-

195

Price N/A

More Details

NDS355AN-NB9L007A

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOT-23-3

527AG

1

260

REEL

3000

N

30

85

N-Channel

Single

20

2

1.7

43

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3.4

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