NDS9945

デュアル N チャネル拡張モード電界効果トランジスタ 60V、3.5A、100mΩ

Overview

SO-8 N チャネル拡張モード電界効果トランジスタは、当社独自の高セル密度の DMOS 技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、優れたスイッチング性能を提供し、特にオン抵抗を最小化するように構成されています。これらのデバイスは、ディスク駆動モータ制御、高速スイッチング、インライン電力損失低減、および過渡抵抗が必要なバッテリ駆動回路などの低電圧アプリケーションに特に適しています。

アプリケーション

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特長

3.5 A、60 V。R_DS(ON) = 0.100 Ω @ V_GS = 10 V、R_DS(ON) = 0.200 Ω @ V_GS = 4.5 V。
超低RDS(ON)用の高密度セル設計
広く使われている表面実装パッケージ中の高電力および電流の処理機能
表面実装パッケージのデュアルMOSFET。

材料組成

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

NDS9945

Active

SOIC-8

751EB

260

REEL

2500

Q1: 100.0, Q2: 100.0

N-Channel

Dual

±20

3.5

Q1: 200.0, Q2: 200.0

12.9

345

$0.7736

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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