MOSFETs | NDS9952A

デュアルN&Pチャネル拡張モード電界効果トランジスタ 30V

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Overview

これらのデュアルN&Pチャネル拡張モード電界効果トランジスタは、フェアチャイルド独自の高セル密度のDMOS技術を使用して製造されています。特に、この高密度のプロセスは、オン抵抗を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供し、アバランシェおよび転流モードでの高エネルギーパルスに対応するよう構成されています。これらのデバイスは、ノートPCの電源管理、および高速スイッチング、インライン電力損失低減、過渡抵抗が必要なその他のバッテリー駆動回路などの低電圧アプリケーションに特に適しています。

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  • Nチャンネル3.7A、30V、RDS(ON)=0.08W @ VGS=10V、
    Pチャンネル -2.9A、-30V、RDS(ON)=0.13W @ VGS=-10V.
  • 超低RDS(ON)
    用の高密度セル設計
  • 広く使われている表面実装パッケージ中の高電力および電流の処理機能
  • 表面実装パッケージのデュアル(N&Pチャンネル) MOSFET

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

NDS9952A

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

751EB

1

260

REEL

2500

N

±30

N:80,P:130

Complementary

Dual

20

±2.8

N: 3.7, P: -2.9

1.6

-

N:110,P:200

-

10

N: 320, P: 350

Price N/A

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NDS9952A-F011

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

751EB

1

260

REEL

4000

N

±30

N:80,P:130

Complementary

Dual

20

±2.8

N: 3.7, P: -2.9

1.6

-

N:110,P:200

-

10

N: 320, P: 350

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