NTMFS08N2D5C

N チャネル・シールド・ゲート PowerTrench® MOSFET 80V、166A、2.7mΩ

Overview

この N チャネル MV MOSFET は、シールド・ゲート技術を組み込んだオン・セミコンダクターの高度な PowerTrench プロセスを使用して製造されています。このプロセスは、オン抵抗を最小限に抑えながら、ベストインクラスのソフトボディダイオードで優れたスイッチング性能を維持するように最適化されています。

アプリケーション

Primary DC−DC MOSFET
Synchronous Rectifier in DC−DC and AC−DC
Motor Drives
Solar

特長

Shielded Gate MOSFET Technology
Max r_DS(on) = 2.7 mΩ at V_GS = 10 V, I_D = 68 A
Max r_DS(on) = 8 mΩ at V_GS = 6 V, I_D = 34 A
50% Lower Q_rr than Other MOSFET Suppliers
Lowers Switching Noise/EMI
MSL1 Robust Package Design
100% UIL Tested
RoHS Compliant

材料組成

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

NTMFS08N2D5C

Active

PQFN-8

483AF

260

REEL

3000

2.7

N-Channel

Single

±20

138

4455

$3.1625

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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