パワー MOSFET、シングル N チャネル、40 V、0.67 mOhms、420 A

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Overview

この N チャネル MV MOSFET は、シールドゲート技術を組み込んだオン・セミコンダクターの高度なPower Trenchプロセスを使用して製造されています。このプロセスは、オン抵抗を最小限に抑えながら、ベストインクラスのソフトボディ・ダイオードで優れたスイッチング性能を維持するように最適化されています。

  • Battery Switch
  • Switching power supplies
  • Load Switch
  • AC-DC Power Supplies
  • Motor Control
  • Small Footprint (8x8 mm)
  • Low RDS(on)
  • Low QG and Capacitance
  • RoHS Compliant

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

NTMTS0D7N04CTXG

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CAD Model

Pb

A

H

P

DFNW-8

1

260

REEL

3000

Y

40

0.67

N-Channel

Single

20

4

420

4.9

-

-

-

140

9230

$1.7908

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