N チャネル・ロジックレベル・パワー MOSFET 60V、11A、107mΩ

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Overview

これらの N チャネル・エンハンスメントモード・パワー MOSFET は、最新の製造プロセス技術を用いて製造されています。このプロセスは、LSI 回路に近い機能サイズを使用し、シリコンの最適な活用を実現、優れた性能をもたらします。これらは、スイッチング・レギュレータ、スイッチング・コンバータ、モータ・ドライバ、リレー・ドライバなどのアプリケーションでの使用を目的として設計されました。これらのトランジスタは、集積回路から直接操作することができます。旧開発型 TA49158。

  • AC-DC商用パワーサプライ - サーバー & ワークステーション
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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

RFD3055LESM9A

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

DPAK-3 / TO-252-3

1

260

REEL

2500

Y

60

-

N-Channel

Single

±16

3

11

38

-

107

-

5.2

350

$0.2681

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