NチャネルPower MOSFET 60V、70A、14mΩ

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Overview

これらは、MegaFETプロセスを用いて製造されたNチャネルPower MOSFETです。このプロセスは、LSI回路に近い機能サイズを使用し、シリコンの最適な活用を実現、優れた性能をもたらします。これらは、スイッチングレギュレーター、スイッチングコンバーター、モータードライバー、リレードライバーなどのアプリケーションでの使用を目的として設計されました。これらのトランジスタは、集積回路から直接操作することができます。旧開発型TA78440。

  • その他の産業用
  • 70A、60V
  • rDS(ON)= 0.014Ω
  • 温度補償PSPICE® モデル
  • ピーク電流対パルス幅カーブ
  • UIS定格曲線(単一パルス)
  • 175℃動作温度
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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

RFP70N06

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-220-3

NA

0

TUBE

800

Y

60

14

N-Channel

Single

±20

4

70

140

-

-

-

65

2250

$1.0133

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