Small Signal MOSFETs | 2N7002

Nチャネル拡張モード電界効果トランジスタ 60V、0.115A、7.5Ω

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Datasheet

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Overview

このNチャネル拡張モードMOSFETは、独自の高セル密度のDMOS技術を使用して製造されています。この製品は、オン抵抗を最小化しながら、堅牢で信頼性の高い、高速なスイッチング性能を実現するよう設計されています。最大400 mAのDCを必要とするほとんどのアプリケーションに使用でき、最大2 Aのパルス電流を供給できます。この製品は特に、小型サーボモータ制御、パワーMOSFETゲートドライバ、その他のスイッチングアプリケーションなどの、低電圧、低電流のアプリケーションに適しています。

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  • Small Servo Motor Control
  • Power MOSFET Gate Drivers

  • 超低RDS(ON)用の高密度セル設計
  • 小信号スイッチで制御する電圧
  • 高い堅牢性と信頼性
  • 高飽和電流機能

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

2N7002

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOT-23 (TO-236) 2.90x1.30x1.00, 1.90P

318

1

260

REEL

3000

N

N-Channel

PowerTrench® T1

SOT-23

Small Signal

Logic

0

Single

0

60

7500

±20

2.5

0.115

0.2

-

7500

-

1

20

-

-

11

4

$0.1013

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: 2N7002

Equivalent to wafer fab process: TO

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

TO

0

955961600

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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