Small Signal MOSFETs | FDG313N

NチャネルデジタルFET 25V、0.95A、0.45Ω

Obsolete

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Overview

このNチャネル拡張モード電界効果トランジスタは、フェアチャイルド独自の高セル密度のDMOS技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、特にオン抵抗を最小化するよう構成されています。このデバイスは、バイポーラデジタルトランジスタおよびSmall Signal MOSFETの代替として、特に低電圧アプリケーション向けに設計されています。

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  • 0.95 A、25 V、RDS(on) = 0.45 Ω @ VGS = 4.5 V、 RDS(on) = 0.60 Ω @ VGS = 2.7 V。
  • 少量のゲート電荷 (通常1.64 nC)
  • ゲート駆動要件が非常に低いレベルであるため、3V回路(VGS(th)1.5V)で直接操作が可能。
  • ESD耐性のためのゲート-ソースツェナー(6kV人体モデル)
  • コンパクトな業界標準 SC70-6表面実装パッケージ

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDG313N

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