Small Signal MOSFETs | FDS6690AS

30V Nチャネル PowerTrench® SyncFET™ 10A、12mΩ

Obsolete

Datasheet

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Overview

FDS6690ASは、同期DC：DC電源の単一のSO-8 MOSFETとショットキーダイオードを置き換えるように設計されています。この30V MOSFETは、電力変換効率を最大化するように設計されており、低RDS（ON）および低ゲート電荷を実現します。FDS6690ASには、フェアチャイルドのモノリシックSyncFET技術を使用したショットキーダイオードが組み込まれています。同期整流器のローサイドスイッチとしてのFDS6690ASの性能は、ショットキーダイオードと並列のFDS6690Aの性能に近いです。

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  • DC/DC Converters
  • Low Side Notebook

  • 10A、30V
  • RDS(ON) = 12 mΩ @ VGS = 10V
  • RDS(ON) = 15 mΩ @ VGS = 4.5V
  • SyncFETショットキーダイオードを含む
  • 少量のゲート電荷(16nC通常)
  • 超低rDS(ON) 用の高性能トレンチ技術
  • 高い電力および電流処理能力

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Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDS6690AS

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDS6690AS

Equivalent to wafer fab process: T3

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

T3

0

442385824

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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