デュアルNチャネル ロジックレベル PowerTrench® MOSFET、PWM制御向け

Obsolete

Overview

これらのNチャンネルロジックレベルMOSFETは、オン状態の抵抗を最小化し、優れたスイッチング性能のためにゲート電荷を低く抑えるように設計された、フェアチャイルドセミコンダクターの高度なPowerTrenchプロセスを使用して製造されます。 これらのデバイスは低インライン電源損失および高速スイッチングが必要な低電圧およびバッテリー駆動用途に適しています。

  • ă�“ă�®čŁ˝ĺ“�ă�Żĺ¤šć§�ă�Şç”¨é€”ă�«é�©ă�—ă�źć±Žç”¨ĺ“�ă�§ă�™ă€‚

  • 7.5 A、 20 V
  • RDS(ON) = 18 mΩ @ VGS = 4.5 V
  • RDS(ON) = 24 mΩ @ VGS = 2.5 V
  • 少量のゲート電荷
  • 超低rDS(ON) 用の高性能トレンチ技術
  • 高い電力および電流処理能力

Tools and Resources

Product services, tools and other useful resources related to FDS6892A

Product List

If you wish to buy products or product samples, please log in to your onsemi account.

検索

Close Search

製品:

1

共有

Product Groups:

Orderable Parts:

1

製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDS6892A

Loading...

Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

1

260

REEL

2500

N

N-Channel

PowerTrench® T1

SOIC-8

Small Signal

Logic

0

Dual

0

20

-

12

1.5

7.5

2

NA

Q1=Q2=24

16

12

NA

-

-

-

-

Price N/A

More Details

Show More

1-25 of 25

Products per page

Jump to :

contact sales icon

Support on the go

Find and compare products, get support and connect with onsemi sales team.