Small Signal MOSFETs | HUF75344P3

NチャネルUltraFET® パワーMOSFET 55V、75A、8mΩ

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Overview

これらのNチャンネルパワーMOSFETは、革新的なUltraFET® プロセスを使用して製造されています。 この高度なプロセス技術はシリコン面積あたりの非常に低いオン抵抗を実現し、優れた性能を発揮します。 このデバイスは電子なだれモードで高エネルギーに耐えることができ、ダイオードは非常に低い逆回復時間と保存電荷を示します。 ポータブル機器およびバッテリー駆動製品のスイッチングレギュレーター、スイッチングコンバーター、モータードライバー、リレードライバー、低電圧バススイッチ、パワーマネージメントなど、電力効率が重要な用途のために設計されています。 旧開発型TA75344

  • AC-DC商用パワーサプライ - サーバー & ワークステーション
  • ワークステーション
  • サーバー&メインフレーム

  • 75A、55V
  • 温度補償PSPICE® とSABER™モデル
  • 熱インピーダンスPSPICEおよびSABERモデル
  • ピーク電流対パルス幅カーブ
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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

HUF75344P3

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CAD Model

Pb

A

H

P

TO-220-3

340AT

NA

0

TUBE

800

Y

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-220

Small Signal

Standard

0

Single

0

55

8

±20

4

75

285

-

-

-

90

3200

39

210

1170

310

$1.4318

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: HUF75344P3

Equivalent to wafer fab process: U2

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

U2

0

3282858009

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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