Small Signal MOSFETs | RFP50N06

NチャネルPower MOSFET 60V、50A、22mΩ

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Overview

これらのNチャネルPower MOSFETは、MegaFETプロセスを用いて製造されています。このプロセスは、LSI集積回路に近い機能サイズを使用し、シリコンの最適な活用を実現、優れた性能をもたらします。これらは、スイッチングレギュレーター、スイッチングコンバーター、モータードライバー、リレードライバーなどのアプリケーションでの使用を目的として設計されました。これらのトランジスタは、集積回路から直接操作することができます。旧開発型TA49018。

  • その他の産業用

  • 50A、 60V
  • rDS(ON)= 0.022Ω
  • 温度補償PSPICE® モデル
  • ピーク電流対パルス幅カーブ
  • UIS定格曲線
  • 175℃動作温度

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

RFP50N06

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CAD Model

Pb

A

H

P

TO-220-3

340AT

NA

0

TUBE

800

Y

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-220

Small Signal

Standard

0

Single

0

60

22

±20

4

50

131

-

-

-

67

2020

-

-

600

200

$0.9978

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: RFP50N06

Equivalent to wafer fab process: U2

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

U2

0

3282858009

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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