Small Signal MOSFETs | BSS123W

Nチャネル・ロジックレベル拡張モード電界効果トランジスタ 100V、0.17A、6Ω

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Overview

このNチャネル拡張モードMOSFETは、高セル密度のトレンチMOSFET技術を使用して製造されています。この製品は、オン抵抗を最小化しながら、堅牢で信頼性の高い、高速なスイッチング性能を実現します。この製品は特に、小型サーボモータ制御、パワーMOSFETゲートドライバ、ロジックレベル・トランジスタ、高速ラインドライバ、電源管理/電源およびスイッチングアプリケーションなどの、低電圧、低電流のアプリケーションに適しています。

  • Small Servo Motor Control
  • Power MOSFET Gate Drivers
  • Logic Level Transistors
  • High Speed Line Drivers
  • Power Management
  • Power Supply and Switching

  • 0.17 A, 100 V, RDS(ON) = 6 Ω @ VGS = 10 V
  • 低RDS(ON)用の高密度セル設計
  • 堅牢で信頼性の高い
  • 超小型表面実装パッケージ
  • 非常に低い容量
  • 高速スイッチング速度
  • 鉛フリー/RoHS対応

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

BSS123W

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信頼性データ

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Device: BSS123W

Equivalent to wafer fab process: TR

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

TR

1

1603286882

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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