Small Signal MOSFETs | FDC2512

Nチャネル PowerTrench® MOSFET 150V 1.4A、425mΩ

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このNチャネルMOSFETは、同期または従来のスイッチングPWMコントローラーを使用して、DC/DCコンバーターの全体的な効率を改善するために特別に設計されています。低ゲート電荷、低RDS（ON）、高速スイッチング速度向けに最適化されています。

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  • 1.4 A、150 V
  • RDS(on) = 425 mΩ@ VGS = 10 V
  • RDS(on) = 475 mΩ @ VGS = 6 V
  • 超低RDS(ON)
    用の高性能トレンチ技術。
  • 少量のゲート電荷(8nC通常)
  • 高い電力および電流処理能力
  • 高速スイッチング

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDC2512

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CAD Model

Pb

A

H

P

TSOT-23-6

419BL

1

260

REEL

3000

No

N-Channel

PowerTrench® T1

TSOT-23-6

Small Signal

Standard

0

Single

0

150

425

±20

4

1.4

1.6

-

-

-

8

344

2.3

119

22

9

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信頼性データ

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Device: FDC2512

Equivalent to wafer fab process: TR

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

TR

1

3586390609

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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