N チャネル PowerTrench® MOSFET 60V 4.3A、55mΩ

Overview

この N チャネル MOSFET は、同期または従来のスイッチング PWM コントローラを使用して、DC/DC コンバータの全体的な効率を改善するために特別に設計されています。これらの MOSFET は、同等の RDS (ON) 仕様を持つ他の MOSFET よりも高速なスイッチングおよび低ゲート電荷を特長としています。その結果、(非常に高い周波数でも) 駆動が容易で安全な MOSFET と、全体的な効率が向上した DC/DC 電源設計を実現します。

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  • 4.3 A、60 V. RDS(ON) = 0.055 Ω@ VGS = 10 V
  • RDS(ON) = 0.064 Ω @ VGS = 6 V
  • 少量のゲート電荷(12.5nC 通常)
  • 高速スイッチング速度。
  • 超低RDS(ON)
    用の高性能トレンチ技術。
  • SuperSOT™ -6 パッケージ: 小さなフットプリント (標準SO-8より72%小さい)。低プロファイル (厚さ 1 mm)。

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDC5612

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

TSOT-23-6

1

260

REEL

3000

Yes

N-Channel

PowerTrench® T1

SC-6

Small Signal

Standard

0

Single

0

60

55

±20

4

4.3

1.6

-

-

-

12.5

650

2.6

-

80

35

$0.21

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