Small Signal MOSFETs | FDC6392S

-20V 統合型 PチャネルPowerTrench® MOSFET + ショットキーダイオード

Obsolete

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Overview

FDC6392Sは、フェアチャイルドのPowerTrench MOSFET技術の卓越したパフォーマンスとSO-8パッケージにおける非常に低いフォワード電圧降下ショットキーバリアダイオードを組み合わせたものです。 このデバイスは特にDC/DCコンバーターの単一パッケージソリューションとして設計されています。 これには、超低オンステート抵抗を備えた、高速スイッチング、少量のゲート電荷のMOSFETが搭載されています。 独立して接続されたショットキーダイオードは、さまざまなDC/DCコンバータートポロジーで使用できます。

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  • -2.2A、-20V
  • RDS(ON) = 150 mΩ @ VGS = -4.5V
  • RDS(ON) = 200 mΩ @ VGS = -2.5V
  • 少量のゲート電荷 (3.7nC通常)
  • コンパクトな業界標準SuperSOT™-6パッケージ
    ショットキー
  • VF < 0.45 V @ 1 A

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Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDC6392S

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