Small Signal MOSFETs | FDC642P_F085

P チャネル PowerTrench® MOSFET、-20V、-4A、100mΩ

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P チャネル PowerTrench® MOSFET、-20V、-4A、100mΩ

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  • 快適性と利便性
  • ボディエレクトロニクス
  • 車両安全システム
  • その他のオートモーティブ

  • 通常 rDS(on) = 52.5mΩ @ VGS = –4.5V、ID = –4A
  • 通常 rDS(on) = 75.3mΩ @ VGS = –2.5V、ID = –3.2A
  • 高速スイッチング速度
  • 少量のゲート電荷 （6.9nC 通常）
  • 超低rDS(on)を実現する高性能なトレンチ技術
  • SuperSOTÞ-パッケージ: 小フットプリント（標準のSO-8よりも72%小さい）。低プロファイル （厚さ 1 mm）。
  • RoHS対応
  • AEC Q101認定取得

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDC642P-F085

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDC642P-F085P

Equivalent to wafer fab process: TR

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

TR

1

1603286882

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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