Small Signal MOSFETs | FDC653N

N チャネル・エンハンスメントモード電界効果トランジスタ 30V、5A、35mΩ

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Overview

この N チャネル・エンハンスメントモード電界効果トランジスタは、独自の高セル密度の DMOS 技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン抵抗を最小化するよう構成されています。特に、これらのデバイスは、非常に小さな外形の表面実装パッケージで迅速なスイッチングおよびインライン電力損失の低減が必要なノート PC、携帯電話、PCMICA カード、およびその他のバッテリ駆動回路の低電圧アプリケーションに適しています。

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  • 5A、30V
  • RDS(ON)=0.035Ω@VGS=10V
  • RDS(ON)=0.055Ω@VGS=4.5V
  • 優れた熱容量および電気容量のために銅リードフレームを使用した独自のSuperSOT™-6パッケージ設計
  • 超低RDS(ON)
    用の高密度セル設計
  • 卓越したオン抵抗、および最大DC電流機能

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDC653N

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CAD Model

Pb

A

H

P

TSOT-23-6

419BL

1

260

REEL

3000

No

N-Channel

PowerTrench® T1

SC-6

Small Signal

Logic

0

Single

0

30

35

20

2

5

1.6

-

55

5

12

350

-

-

-

-

$0.2323

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDC653N

Equivalent to wafer fab process: TQ

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

TQ

0

443130774

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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