統合型 P チャネル PowerTrench® MOSFET およびショットキー・ダイオード、-60V、-3.0 A、110 mΩ

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FDFS2P106A は SO-8 パッケージの中に並外れた性能の PowerTrench MOSFET テクノロジと非常に低いフォワード電圧降下のショットキー・バリア・レクティファイヤを組み込んでいます。このデバイスは、DC-DC コンバータ向けのシングルパッケージソリューションとして特別に設計されています。これには、オン抵抗が非常に低い高速スイッチング、低ゲート電荷 MOSFET が備わっています。ショットキー・ダイオードが独立して接続されているため、さまざまな DC-DC コンバータ・トポロジに使用できます。

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  • • -3.0A、-60 V
  • RDS(on) = 110 mΩ@ VGS = -10 V
  • RDS(on) = 140 mΩ @ VGS = -4.5 V
    • VF < 0.45 V @ 1 A (TJ = 125°C)
  • VF < 0.53 V @ 1 A
  • VF < 0.45 V @ 1 A (TJ = 125°C)
  • VF < 0.62 V @ 2 A
    • ショットキーとMOSFETを単一電源表面実装SO-8パッケージに組み込んでいる
    • ショットキーとMOSFETのピンアウトは電気的に独立しているので、柔軟な設計が可能
  • Schottky and MOSFET incorporated into singlepower surface mount SO-8 package
  • Electrically independent Schottky and MOSFETpinout for design flexibility

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDFS2P106A

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

1

260

REEL

2500

N

P-Channel

PowerTrench® T1

SOIC-8

Small Signal

Logic

0

with Schottky Diode

0

-60

110

±20

-3

-3

2

-

140

-

15

714

3

-

84

33

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