P チャネル 1.8V 仕様 PowerTrench® MOSFET -12V、-2 A、110 mΩ

Obsolete

Overview

この P チャネル 1.8V 仕様 MOSFET は、フェアチャイルドの高度な低電圧 PowerTrench プロセスを使用します。バッテリ電源管理アプリケーション向けに最適化されています。

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  • -2A、-12V.
  • RDS(ON) = 110mΩ @ VGS = -4.5V
  • RDS(ON) = 150mΩ @ VGS = -2.5V
  • RDS(ON) = 215mΩ @ VGS = -1.8V
  • 少量のゲート電荷
  • 超低RDS(ON)
    用の高性能トレンチ技術。
  • コンパクトな業界標準SC70-6 表面実装型パッケージ

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDG330P

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6

1

260

REEL

3000

No

P-Channel

PowerTrench® T1

NA

Small Signal

Logic

0

Single

0

-12

-

8

-1.5

-2

0.75

NA

150

5.1

5

NA

-

-

-

-

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