P チャネル PowerTrench® MOSFET -20V、-2.6A、97mΩ

Obsolete

Overview

この P チャネル MOSFET は、高度な低電圧 PowerTrench® プロセスを使用しています。バッテリ電源管理アプリケーション向けに最適化されています。

  • ă�“ă�®čŁ˝ĺ“�ă�Żĺ¤šć§�ă�Şç”¨é€”ă�«é�©ă�—ă�źć±Žç”¨ĺ“�ă�§ă�™ă€‚

  • 最大 rDS(on) = 95mΩ @ VGS = -4.5V、ID = -2.6A
  • 最大 rDS(on) = 115mΩ @ VGS = -2.5V、ID = -2.2A
  • 最大 rDS(on) = 160mΩ @ VGS = -1.8V、ID = -1.9A
  • 最大 rDS(on) = 330mΩ @ VGS = -1.5V、ID = -1.0A
  • 非常に低いレベルのゲート ドライブ要件は、1.5V回路の操作を可能にします。
  • 非常に小さなパッケージアウトラインSC70-6
  • RoHS対応

Tools and Resources

Product services, tools and other useful resources related to FDG332PZ

Product List

If you wish to buy products or product samples, please log in to your onsemi account.

検索

Close Search

製品:

1

共有

Product Groups:

Orderable Parts:

1

製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDG332PZ

Loading...

Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6

1

260

REEL

3000

N

P-Channel

PowerTrench® T1

SC-88-6

Small Signal

Logic

0

Single

0

-20

-

8

-1.5

-2.6

0.75

NA

115

1.8

7.6

NA

-

-

-

-

Price N/A

More Details

Show More

1-25 of 25

Products per page

Jump to :

contact sales icon

Support on the go

Find and compare products, get support and connect with onsemi sales team.