デュアルコモンドレイン NチャネルPowerTrench® MOSFET 20V 、9.7A、16.5mΩ

Last Shipments

Overview

このデバイスは、リチウムイオンバッテリパック保護回路およびその他ウルトラポータブルアプリケーション向けのシングルパッケージソリューションとして特別に設計されています。最先端のMicroFETリードフレームを使用したフェアチャイルドの高度なPowerTrench®プロセスで、双方向の電流の流れを可能にする2つのコモンドレインNチャネルMOSFETを特長とするFDMB2307NZは、PCBスペースおよびrS1S2 (on)の両方を最小限に抑えます。

  • 携帯電話端末
  • 最大 rS1S2(on) = 16.5 mΩ @ VGS = 4.5 V、ID = 8 A
  • 最大rS1S2(on) = 18 mΩ @ VGS = 4.2 V、ID = 7.4 A
  • 最大rS1S2(on) = 21 mΩ @ VGS = 3.1 V、ID = 7 A
  • 最大 rS1S2(on) = 24 mΩ @ VGS = 2.5 V、ID = 6.7 A
  • 低プロファイル - 最大0.8mm、新パッケージ MicroFET2x3 mm
  • HBM ESD保護レベル> 2 kV (注3)
  • RoHS対応

Tools and Resources

Product services, tools and other useful resources related to FDMB2307NZ

Buy/Parametrics Table

検索

Close Search

製品:

1

共有

Product Groups:

┗

Orderable Parts:

1

製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDMB2307NZ

Loading...

Last Shipments

View__CAD

Pb

A

H

P

WDFN-6

1

260

REEL

3000

No

N-Channel

PowerTrench® T1

WDFN-6

Small Signal

Logic

0

Dual

0

20

-

12

1.5

9.7

2.2

Q1=Q2=24

Q1=Q2=16.5

4

18

1760

-

-

-

-

Price N/A

More Details

Show More

1-25 of 25

Products per page

Jump to :

contact sales icon

Support on the go

Find and compare products, get support and connect with onsemi sales team.