Small Signal MOSFETs | FDMB2308PZ

デュアル・コモン・ドレイン P チャネル PowerTrench® MOSFET -20V、-7A、36mΩ

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Overview

このデバイスは、リチウムイオン・バッテリパック保護回路およびその他ウルトラポータブル・アプリケーション向けのシングルパッケージ・ソリューションとして特別に設計されています。FDMB2308PZ は、最先端の MicroFET リードフレームを使用した当社の高度な PowerTrench® プロセスで、双方向の電流の流れを可能にする 2 つのコモン・ドレイン P チャネル MOSFET を特長とし、PCB スペースおよび rS1S2(on) の両方を最小限に抑えます。

  • 携帯電話端末
  • 最大 rS1S2(on) = 36 mΩ @ VGS = -4.5 V、ID = -5.7 A
  • 最大 rS1S2(on) = 50 mΩ @ VGS = -2.5 V、ID = -4.6 A
  • 低プロファイル - 最大0.8mm、新パッケージ MicroFET2x3 mm
  • HBM ESD保護レベル2.8 kV (注3)
  • RoHS対応

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDMB2308PZ

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View__CAD

Pb

A

H

P

WDFN-6

511CX

1

260

REEL

3000

No

P-Channel

PowerTrench® T1

WDFN-6

Small Signal

Logic

0

Dual

0

-20

-

12

-1.5

-7

2.2

Q1=Q2=50

Q1=Q2=36

7

22

2280

-

-

-

-

$0.4131

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDMB2308PZ

Equivalent to wafer fab process: RN

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

RN

9

11968865347

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Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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