デュアル N チャネル Power Trench® MOSFET 60V、5.8m Ω

Obsolete

Overview

このデバイスには、デュアル Power (3.3 mm X 5 mm MLP) パッケージに 2 つの 60V N チャネル MOSFET が含まれています。HS ソースと LS ドレインは、ハーフ/フルブリッジ、低ソースインダクタンスパッケージ、低 rDS(on)/ Qg FOM シリコン用に内部接続しています。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.

  • 最大 rDS(on) = 5.8 mΩ @ VGS = 10 V、ID = 15 A
  • 最大 rDS(on) = 8.7 mΩ @ VGS = 4.5 V、ID = 12 A
  • ブリッジ トポロジーの一次側の柔軟なレイアウトに最適
  • 100% UILテスト済み
  • ケルビン ハイサイド MOSFET 駆動ピン配列機能
  • 端子は鉛フリーで RoHS 対応です

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDMD8260L

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-12

1

260

REEL

3000

N

N-Channel

PowerTrench® T6

PQFN-12

Small Signal

Logic

0

Dual

0

60

Q1=Q2=5.8

±20

3

15

37

-

Q1=Q2=8.7

-

25

3745

5.2

17

558

22

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