Small Signal MOSFETs | FDMD85100

デュアル N チャネル PowerTrench® MOSFET 100V 48A、9.9mΩ

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このデバイスには、デュアル Power (5 mm X 6 mm) パッケージに 2 つの 100V N チャネル MOSFET が含まれています。HS ソースと LS ドレインは、ハーフ/フルブリッジ、低ソース・インダクタンス・パッケージ、低 rDS(on)/Qg FOM シリコン用に内部接続しています。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • Q1: Nチャネル：
  • 最大 rDS(on) = 16.4 mΩ @ VGS = 6 V、ID = 8 A
    Q2: Nチャネル：
  • ブリッジ トポロジーの一次側の柔軟なレイアウトに最適
  • 端子は鉛フリーで RoHS 対応です
  • UIL 100%テスト済み
  • ケルビン ハイサイド MOSFET 駆動ピン配列機能

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDMD85100

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CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-8

483AT

1

260

REEL

3000

No

N-Channel

PowerTrench® T1

PQFN-8

Small Signal

Standard

0

Dual

0

100

Q1=Q2=9.9

±20

4

Q1=Q2: 48.0

50

-

-

9.2

13.5

Q1=1590, Q2:1485

Q1: 4.3 Q2: 4.4

Q1: 53 Q2: 51

Q1: 334 Q2: 337

Q1: 13 Q2: 13

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDMD85100

Equivalent to wafer fab process: T7

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

T7

11

6716497626

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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