NチャネルLogic Level拡張モード電界効果トランジスタ 30V、2.2A、65Ω

Overview

SuperSOT™-3 NチャネルLogic Level拡張モード電界効果トランジスタは独自の高セル密度のDMOS技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、特にオン抵抗を最小化するよう構成されています。特に、これらのデバイスは、非常に小さな外形の表面実装パッケージで迅速なスイッチングおよびインライン電力損失の低減が必要なノートPC、携帯電話、PCMCIAカード、およびその他のバッテリー駆動回路の低電圧アプリケーションに適しています。

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  • 2.2 A、 30 V、 RDS(ON) = 0.065 Ω @ VGS = 4.5 V、 RDS(ON) = 0.082 Ω @ VGS = 2.5 V.
  • 優れた熱および電気機能のための独自のSuperSOT™-3設計を使用した、業界標準輪郭SOT-23表面実装パッケージ
  • 超低RDS(ON)用の高密度セル設計
  • 卓越したオン抵抗、および最大DC電流機能

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDN337N

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

SOT-23-3

1

260

REEL

3000

N

N-Channel

PowerTrench® T1

SOT-23

Small Signal

Logic

0

Single

0

30

65

8

1

2.2

0.5

-

92

7

7

300

-

-

-

-

$0.1493

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FDN337N-F169

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

SOT-23-3

1

260

REEL

3000

N

N-Channel

PowerTrench® T1

NA

Small Signal

Logic

0

Single

0

30

-

±8

8

2.2

0.5

82

65

7

7

300

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