Small Signal MOSFETs | FDN361BN

N チャネル・ロジックレベル PowerTrench® MOSFET 30V、1.4A、110mΩ

Obsolete

Datasheet

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Overview

これらの N チャネル・ロジックレベル MOSFETは、優れたスイッチング性能を維持しながら、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成された高度な PowerTrench プロセスを使用して製造されています。特に、これらのデバイスは、非常に小さな外形の表面実装パッケージで迅速なスイッチングおよびインライン電力損失の低減が必要なノート PC、携帯電話、PCMCIA カード、およびその他のバッテリ駆動回路の低電圧アプリケーションに適しています。

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  • Battery Powered Circuits

  • Notebook Computers
  • Portable Phones
  • PCMCIA Cards

  • 1.8 A、 30 V。
  • RDS(ON) = 110 mΩ @ VGS = 10 V
  • RDS(ON) = 160 mΩ @ VGS = 4.5 V
  • 少量のゲート電荷
  • 業界標準のアウトライン SOT-23 表面実装パッケージは、優れた熱的および電気的機能を実現するため、独自のSuperSOT™-3デザインを使用しています
  • 超低RDS(ON)用の高性能トレンチ技術。

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MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDN361BN

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDN361BN

Equivalent to wafer fab process: T3

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

T3

0

442385824

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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