Small Signal MOSFETs | FDP7030BL

N チャネル・ロジックレベル PowerTrench® MOSFET、30V、60A、9mΩ

Obsolete

Datasheet

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Overview

この N チャネル・ロジックレベル MOSFET は、同期または従来のスイッチング PWM コントローラを使用して、DC/DC コンバータの全体的な効率を改善するために特別に設計されています。これらの MOSFET は、同等の RDS(ON) 仕様を持つ他の MOSFET よりも高速なスイッチングおよび低ゲート電荷を特長としています。その結果、(非常に高い周波数でも) 駆動が容易で安全な MOSFET と、全体的な効率が向上した DC / DC 電源設計を実現します。低ゲート電荷、低 RDS(ON)、高速スイッチング速度向けに最適化されています。

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  • 60 A、30 V
  • RDS(ON) = 9 mΩ @ VGS = 10 V
  • RDS(ON) = 12 mΩ @ VGS = 4.5 V
  • 昇温で規定される臨界DC電気パラメータ
  • 超低RDS(ON)用の高性能トレンチ技術。
  • 175°C最大ジャンクション温度定格

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Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDP7030BL

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDP7030BL

Equivalent to wafer fab process: T2

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

T2

0

1290840276

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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