Nチャネル UItraFET Trench® MOSFET 250V、3.0A、117mΩ

Overview

このNチャネルMOSFETは、優れたスイッチング性能を維持しながら、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成された高度なUItraFET Trench®プロセスを使用して製造されます。

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  • DC-DC Conversion

  • 最大 rDS(on) =117mΩ @ VGS =10V、ID = 3.0A
  • 最大 rDS(on) =126mΩ @ VGS = 6V、ID = 2.8A
  • 高速スイッチング速度
  • 超低rDS(on)用の高性能トレンチ技術
  • 高い電力および電流処理能力
  • RoHS対応

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDS2734

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

1

260

REEL

2500

Y

N-Channel

PowerTrench® T1

SOIC-8

Small Signal

Standard

0

Single

0

250

117

±30

4

3

2.5

-

-

-

32

1960

8

185

85

26

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