Small Signal MOSFETs | FDS3512

80V NチャネルPowerTrench® MOSFET

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このNチャンネルMOSFET は、同期または従来のスイッチングPWMコントローラーのいずれかを使用して、DC/DCコンバーターの全体的な効率を改善するように特に設計されています。 これらのMOSFETは、比較可能なRDS(ON)仕様に関連して、他のMOSFETより高速なスイッチングとより少量のゲート電荷という特長を持っています。 その結果、MOSFETは簡単かつ安全に駆動し (非常に高い周波数帯であっても)、DC/DCパワーサプライ設計の全体的な効率が高くなります。

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  • 4.0 A、80 V
  • RDS(ON) = 70 mΩ @ VGS = 10 V
  • RDS(ON) = 80 mΩ @ VGS = 6 V
  • 少量のゲート電荷(13nC通常)。
  • 高速スイッチング速度
  • 超低rDS(ON) 用の高性能トレンチ技術
  • 高い電力および電流処理能力

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDS3512

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Last Shipments

CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

751EB

1

260

REEL

2500

N

N-Channel

PowerTrench® T1

SOIC-8

Small Signal

Standard

0

Single

0

80

70

±20

4

4

2.5

-

-

-

13

634

2.8

-

58

28

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信頼性データ

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Device: FDS3512

Equivalent to wafer fab process: TR

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

TR

1

1603286882

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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