Small Signal MOSFETs | FDS3890

80V N チャネルDual PowerTrench® MOSFET 4.7A、44mΩ

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Overview

この N チャネル MOSFET は、同期または従来のスイッチング PWM コントローラを使用して、DC/DC コンバータの全体的な効率を改善するために特別に設計されています。これらの MOSFET は、同等の RDS (ON) 仕様を持つ他の MOSFET よりも高速なスイッチングおよび低ゲート電荷を特長としています。その結果、(非常に高い周波数でも) 駆動が容易で安全な MOSFET と、全体的な効率が向上した DC/DC 電源設計を実現します。

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  • 4.7 A、 80 V
  • RDS(on) = 44 mΩ@ VGS = 10 V
  • RDS(on) = 50 mΩ @ VGS = 6 V
  • 高速スイッチング速度
  • 超低RDS(ON)オンの高性能トレンチ技術。
  • 高い電力および電流処理能力

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDS3890

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

751EB

1

260

REEL

2500

Y

N-Channel

PowerTrench® T1

SOIC-8

Small Signal

Standard

0

Dual

0

80

Q1: 44.0, Q2: 44.0

±20

4

4.7

2

-

-

-

25

1180

5.8

-

171

50

$0.7904

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDS3890

Equivalent to wafer fab process: TR

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

TR

1

1603286882

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Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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