60VコンプリメンタリーPowerTrench® MOSFET

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Overview

このコンプリメンタリーMOSFETデバイスは、優れたスイッチング性能のために低デート電荷を維持しながら、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成された高度なPowerTrenchプロセスを使用して製造されます。

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  • DC/DC Converters
  • Power Management
  • LCD Backlight Inverter
  • Q1: Nチャンネル
  • 4.5 A、60 V

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDS4559

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

1

260

REEL

2500

Yes

Complementary

PowerTrench® T1

SOIC-8

Small Signal

Logic

0

Dual

0

±60

N:55.0,P:105.0

±20

±3

N: 4.5, P: -3.5

2

-

N:75.0,P:135.0

-

15

N: 650, P: 759

N: 2.6, P: 3.0

-

N: 80, P: 90

N: 35, P: 39

$0.3276

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