デュアルPチャネルPowerTrench® MOSFET、-30V、-7A、23mΩ

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Overview

このPチャネルMOSFETは、高度なPowerTrenchプロセスの堅牢性に優れたゲートバージョンです。広範な駆動電圧定格(4.5V〜20V)を必要とする電源管理アプリケーション向けに最適化されています。

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  • Power Management
  • Load Switch
  • Battery Protection
  • -7A、-30V
  • RDS(ON) = 23 mΩ @ VGS = -10V
  • RDS(ON) = 35 mΩ @ VGS = -4.5V
  • 少量のゲート電荷 (15nC 通常)
  • 高速スイッチング速度。
  • 超低RDS(ON)用の高性能トレンチ技術。
  • 高い電力および電流処理能力

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDS4935A

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

1

260

REEL

2500

N

P-Channel

PowerTrench® T1

SOIC-8

Small Signal

Logic

0

Dual

0

-30

Q1=Q2=23

20

-3

-7

1.6

-

Q1=Q2=35

-

15

1233

-

-

-

-

$0.3992

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