60V N チャネル PowerTrench® MOSFET 7A、28mΩ

Obsolete

Overview

この N チャネル MOSFET は、優れたスイッチング性能を維持しながら、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成された高度な PowerTrench プロセスを使用して製造されています。これらのデバイスは、インライン型の低い電力損失と高速スイッチングが必要な低電圧およびバッテリー駆動アプリケーションに最適です。

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  • DC/DC Converters
  • Motor Drives

  • 7 A、60 V
  • 少量のゲート電荷 (23nC 通常)
  • 高速スイッチング速度。
  • 超低RDS(ON)用の高性能トレンチ技術。
  • 高い電力および電流処理能力

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDS5690

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

1

260

REEL

2500

N

N-Channel

PowerTrench® T1

SOIC-8

Small Signal

Standard

0

Single

0

80

28

±20

4

7

2.5

-

-

10

23

1107

6.8

-

149

72

Price N/A

More Details

FDS5690-NBBM009A

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Pb

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SOIC-8

1

260

REEL

2500

N

N-Channel

PowerTrench® T1

SOIC-8

Small Signal

Standard

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Single

0

80

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4

7

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