Pチャネル2.5V 仕様 PowerTrench® MOSFET -20V、-8A、24mΩ

Overview

このPチャネル2.5V仕様MOSFETは、高度なPowerTrenchプロセスの堅牢性に優れたゲートバージョンです。広範なゲート駆動電圧(2.5V〜8V)で電源管理アプリケーション向けに最適化されています。

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  • Power Management
  • Load Switch
  • Battery Protection
  • -8.0 A、-20 V
  • RDS(on) = 24 mΩ @ VGS = -4.5 V
  • RDS(on) = 32 mΩ @ VGS = -2.5 V
  • 少量のゲート電荷(26nC通常)
  • 高速スイッチング速度。
  • 超低RDS(ON)用の高性能トレンチ技術。
  • 高い電力および電流処理能力

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDS6375

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

1

260

REEL

2500

No

P-Channel

PowerTrench® T1

SOIC-8

Small Signal

Logic

0

Single

0

-20

-

8

-1.5

-8

2.5

32

24

75

26

2694

-

-

-

-

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