Small Signal MOSFETs | FDS6699S

N チャネル PowerTrench® SyncFET™ 30V、21A、3.6mΩ

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FDS6699S は、同期 DC:DC 電源の単一の SO-8 MOSFET とショットキー・ダイオードを置き換えるように設計されています。この 30V MOSFET は、電力変換効率を最大化するように設計されており、低 RDS(on) および低ゲート電荷を実現します。FDS6699S には、モノリシック SyncFET 技術を使用したショットキー・ダイオードが組み込まれています。

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  • Synchronous Rectifier for DC/DC Converters
  • Notebook Vcore low side switch
  • Point of Load Low Side Switch

  • 21A、 30V
  • RDS(ON) = 3.6 mΩ @ VGS = 10V
  • RDS(ON) = 4.5 mΩ @ VGS = 4.5V
  • SyncFETショットキーボディーダイオードが含まれています
  • 超低RDS(ON)および高速スイッチング用の高性能トレンチ技術
  • 高い電力および電流処理能力
  • 100 ％ RG (ゲート抵抗) テスト済み

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Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDS6699S

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

751EB

1

260

REEL

2500

N

N-Channel

PowerTrench® T1

SOIC-8

Small Signal

Logic

0

Single

0

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3.6

20

3

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信頼性データ

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Device: FDS6699S

Equivalent to wafer fab process: T3

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

T3

0

442385824

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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