Small Signal MOSFETs | FDS6990AS

デュアル N チャネル PowerTrench® SyncFET™ 30V、7.5A、22mΩ

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Overview

FDS6990AS は、同期 DC:DC 電源のデュアル SO-8 MOSFET と 2 個のショットキー・ダイオードを置き換えるように設計されています。この 30V MOSFET は、電力変換効率を最大化するように設計されており、低 RDS(ON) および低ゲート電荷を実現します。各 MOSFET には、モノリシック SyncFET 技術を使用したショットキー・ダイオードが組み込まれています。同期整流器のローサイドスイッチとしての FDS6990AS の性能は、ショットキー・ダイオードと並列の FDS6990A の性能と似ています。

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  • DC/DC Converters
  • Motor Drives

  • 7.5A、30V。 RDS(ON) = 22 mΩ @ VGS = 10V
    RDS(ON) = 28 mΩ @ VGS = 4.5V
  • SyncFETショットキーボディーダイオードが含まれています
  • 少量のゲート電荷(10nC通常)
  • 超低rDS(ON)
    用の高性能トレンチ技術
  • 高い電力および電流処理能力

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MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDS6990AS

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2

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Q1=Q2=28

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信頼性データ

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Device: FDS6990AS

Equivalent to wafer fab process: T3

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

T3

0

442385824

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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