シングル P チャネル 2.5V 仕様 MOSFET -20V、-5A、47mΩ

Obsolete

Overview

この P チャネル・エンハンスメントモード電界効果トランジスタは、独自の高セル密度の DMOS 技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、特にオン抵抗を最小化しするように構成されており、優れたスイッチング性能を提供します。

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  • Load Switch
  • DC/DC Converters
  • Battery Protection

  • -5 A、-20 V
  • RDS(on) = 0.047 Ω @ VGS = -4.5 V
  • RDS(on) = 0.070 Ω @ VGS = -2.5 V
  • 高速スイッチング速度。
  • 超低RDS(ON)
    用の高密度セル設計
  • 高い電力および電流処理能力

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDS8433A

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

1

260

REEL

2500

N

P-Channel

PowerTrench® T1

SOIC-8

Small Signal

Logic

0

Single

0

-20

-

8

-1

-5

2.5

NA

70

-

20

NA

-

-

-

-

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